我国拟将第三代半导体发展，放入我国"十四五"规划中，大力研究发展第三代半导体，做到技术与生产独立，自给自足，不再受制于外部限制。我国计划在2021到2025年的五年之内，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面对第三代半导体发展提供广泛支持，并投入约1.4万亿美元到无线网络、
人工智能等技术领域。
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体行业经过近六十年的发展，目前已经发展形成了三代半导体材料，第一代半导体材料主要是指硅、锗元素等单质半导体材料；第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓、锑化铟；第三代半导体材料以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石为四大代表，是 5G 时代的主要材料。
第三代半导体材料无论在军事领域还是民用都有广泛的用途，国家战略新兴产业政策中多次提到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体器件，写入"十四五"规划也是早有迹象。第三代半导体产业战略意义非凡，但国内该产业仍处起步阶段，在研发、生产方面明显落后于美日欧，随着国家将其纳入"十四五"规划，政策利好必将引爆产业投资热潮。
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